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GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

标准号
GB/T 25188-2010
下载格式
PDF
发布日期
2011-08-01
实施日期
2010-09-26
标准类别
国家标准
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简介

标准编号:GB/T 25188-2010

标准名称:硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法

标准类型:推荐性

标准英文:Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy

标准状态:现行

发布日期:2011-08-01

实施日期:2010-09-26

标准语言:中文

发布部委:

国际分类:化工技术

国内标准分类号:G04

国际标准分类:71.040.40

技术归口:全国微束分析标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

标准类别:方法

代替标准:

起草单位:中国科学院化学研究所 中国计量科学研究院

起草人:刘芬 王海 赵志娟 邱丽美 赵良仲宋小平

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