当前位置:首页 > 标准 > 行业标准 > GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

标准号
GB/T 14847-2010
下载格式
PDF
发布日期
2011-10-01
实施日期
2011-01-10
标准类别
国家标准
免费下载
简介

标准编号:GB/T 14847-2010

标准名称:重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

标准类型:推荐性

标准英文:Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

标准状态:现行

发布日期:2011-10-01

实施日期:2011-01-10

标准语言:中文

发布部委:

国际分类:电气工程

国内标准分类号:H80

国际标准分类:29.045

技术归口:全国半导体设备和材料标准化技术委员会

主管部门:国家标准化管理委员会

标准类别:方法

代替标准:GB/T 14847-1993

起草单位:宁波立立电子股份有限公司 信息产业部专用材料质量监督检验中心

起草人:李慎重 何良恩 何秀坤 许峰刘培东

声明:资源收集自网络无法详细核验或存在错误,仅为个人学习参考使用,如侵犯您的权益,请联系我们处理。