标准编号：GB/T 29332-2012
标准名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
标准类型：推荐性
标准英文：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)
标准状态：现行
发布日期：2013-06-01
实施日期：2012-12-31
标准语言：中文
发布部委：
国际分类：电子学
国内标准分类号：L42
国际标准分类：31.080.30;31.080.01
技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门：工业和信息化部（电子）
标准类别：产品
代替标准：
起草单位：西安电力电子技术研究所英飞凌科技（中国）有限公司江苏宏微科技有限公司 西安爱帕克电力电子有限公司 威海新佳电子有限公司
起草人：蔚红旗 张立 王晓宝 秦贤满 陈子颖乜连波