标准编号：GB/T 43493.3-2023
标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
标准类型：推荐性
标准英文：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
标准状态：即将实施
发布日期：2024-07-01
实施日期：2023-12-28
标准语言：中文
发布部委：
国际分类：电子学
国内标准分类号：L90
国际标准分类：31.080.99
技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
标准类别：方法
代替标准：
起草单位：河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）广东天域半导体股份有限公司浙江大学山西烁科晶体有限公司中电化合物半导体有限公司常州臻晶半导体有限公司厦门特仪科技有限公司 之江实验室 中国电子科技集团公司第四十六研究所 山东天岳先进科技股份有限公司 中国科学院半导体研究所 河北普兴电子科技股份有限公司 深圳市星汉激光科技股份有限公司
起草人：芦伟立 房玉龙 丁雄杰 张冉冉 张建锋 李振廷 刘立娜 杨世兴 金向军 尹志鹏 周少丰 林志阳 李佳殷源王健李丽霞徐晨杨青马康夫钮应喜刘薇陆敏